CL－1型缓蚀剂的研制

为了阻缓高含水原油对集输管线的腐蚀，研制了ＣＬ－１型输油管线缓蚀剂。这种缓蚀剂是以两种咪唑啉衍生物与联氨为主要成分的复配药剂，运用于油水共在体系．本文介绍了该剂的室内性能评价和现场试验结果。     

防垢剂BZF－2的研制与应用

桩西油田产出原油综合含水已达６０％－７０％，原用防垢剂ＨＥＤＰ已失去有效抑制集输站结垢的性能。本工作针对结垢最严重的桩５２站的应用，研制了以有机膦化合物和聚氧乙烯醚为主成份的防垢剂ＢＺＦ－２，在室内考察了不同条件下的防垢率、腐蚀性、配伍性等性能，在桩５２站进行了为期４个月的现场试验，加量为１０．３ｍｌ／ｌ、防垢率≥９８．０％，加药设备管线的腐蚀率大大降低。     

丙烯腈－苯乙烯共聚物水解磺化产物对泥浆的稳定作用

在实验室条件下对用丙烯腈－苯乙烯共聚物在硫酸存在下的水解磺化产物（ＨＳＡＳ）处理的泥浆性能进行了评定。ＨＳＡＳ处理的泥浆有较小的滤失性，较好的耐盐和抗高温性。     

碱法造纸黑液驱油研究

在玻璃细珠充填柱人造岩心模型上进行了碱法造纸黑液驱替稠油的实验研究，考察了稠油酸值、盐、温度、岩心渗透率、注入量和注入方式的影响。在实验条件下碱法造纸黑液驱稠油的采收率较水驱提高２５％     

我国乳品加工技术创新体系发展方向的研究

从乳品加工产前、产中、产后三个方面，论述了我国乳品工业在技术方向应优先发展领域和发展方向。     

利用黄河泥沙加固下游大堤

黄河是一条举世闻名的多泥沙河流，善淤、善决、善徒给沿河人民带来对过深重灾难，防洪问题一直是国家的心腹之患。泥沙问题是黄河防洪问题的症结所在。在总结固大堤经验的基础，进行挖河疏浚，淤筑“相对地下河”，已作为黄河治理的一项重大决策付诸实施。     

天然气中甲烷和乙烷直接转化制乙烯

天然气中的甲烷和乙烷可以同时在Ｎａ２ＷＯ４－Ｍｎ／ＳｉＯ２催化剂上得到活化生成乙烯。在甲烷转化率为２０％时，原料甲烷氧化偶联反应生成Ｃ２＋的选择性为～８０％，原料乙烷反应的转化率为～８５％，选择性为～７０％。     

合成己二腈反应技术研究——(Ⅴ)己二腈工业反应过程模拟与反应器改造

对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。     

多孔板体结构足尺性能分析及材料基本要求

本文就利用诸如蛋白石这样的疏松多孔矿料同灰土构成的混合料，在路面结构中表现出的独特有效的抗冻作用机理作了深入分析，并结合足尺试验数据加以验证。阐述了所谓多孔板体结构的概念、机制和材料组成要求。     

Modeling ion implantation of HgCdTe

Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant doping profile is n⁺/n^-/p, where the n⁺ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n^- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released, they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background.